0 Mėgstami
0Krepšelis

Current and Breakdown Voltages in 3C-SiC Lateral Power MOSFET

57,42 
57,42 
2025-07-31 57.4200 InStock
Nemokamas pristatymas į paštomatus per 16-20 darbo dienų užsakymams nuo 19,00 

Knygos aprašymas

Silicon carbide is the only WBG semiconductor that possesses a high-quality native oxide suitable for use as an MOS insulator in electronic devices. Thermal oxidation of SiC produces a layer of SiO2 on the surface, while the carbon atoms from the SiC form CO, which escapes as a gas. Thus it is possible to make all the devices found in silicon IC technology in SiC, including high quality, stable MOS transistors and MOS integrated circuits.

Informacija

Autorius: Vivek Kumar
Leidėjas: LAP LAMBERT Academic Publishing
Išleidimo metai: 2020
Knygos puslapių skaičius: 68
ISBN-10: 6202800895
ISBN-13: 9786202800891
Formatas: Knyga minkštu viršeliu
Kalba: Anglų
Žanras: Electronics and communications engineering

Pirkėjų atsiliepimai

Parašykite atsiliepimą apie „Current and Breakdown Voltages in 3C-SiC Lateral Power MOSFET“

Būtina įvertinti prekę

Goodreads reviews for „Current and Breakdown Voltages in 3C-SiC Lateral Power MOSFET“