0 Mėgstami
0Krepšelis

Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt Theory and Design

Šiuo metu neparduodama

Knygos aprašymas

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Informacija

Autorius: Vinod Kumar Khanna
Leidėjas: Wiley-IEEE Press
Išleidimo metai: 2003
Knygos puslapių skaičius: 648
ISBN-13: 9780471238454
Formatas: 6.397625 x 1.381887 x 9.40943 inches. Knyga kietu viršeliu
Kalba: Anglų

Pirkėjų atsiliepimai

Parašykite atsiliepimą apie „Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt Theory and Design“

Būtina įvertinti prekę

Goodreads reviews for „Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt Theory and Design“