0 Mėgstami
0Krepšelis

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

254,08 
254,08 
2025-07-31 254.0800 InStock
Nemokamas pristatymas į paštomatus per 18-22 darbo dienų užsakymams nuo 19,00 

Knygos aprašymas

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Informacija

Autorius: Viktor Sverdlov
Serija: Computational Microelectronics
Leidėjas: Springer Vienna
Išleidimo metai: 2010
Knygos puslapių skaičius: 268
ISBN-10: 3709103819
ISBN-13: 9783709103814
Formatas: Knyga kietu viršeliu
Kalba: Anglų
Žanras: Electronics engineering

Pirkėjų atsiliepimai

Parašykite atsiliepimą apie „Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs“

Būtina įvertinti prekę

Goodreads reviews for „Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs“